1769-OW8，1769-OW8

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RAM是構(gòu)成內(nèi)存的主要部分，其內(nèi)容可以根據(jù)需要隨時(shí)按地址讀出或?qū)懭耄阅撤N電觸發(fā)器的狀態(tài)存儲(chǔ)，斷電后信息無(wú)法保存，用于暫存數(shù)據(jù)，又可分為DRAM和SRAM兩種。RAM一般使用動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件（DRAM）。因?yàn)镃PU工作的速度比RAM的讀寫速度快，所以CPU讀寫RAM時(shí)需要花費(fèi)時(shí)間等待，這樣就使CPU的工作速度下降。人們?yōu)榱颂岣逤PU讀寫程序和數(shù)據(jù)的速度，在RAM和CPU之間增加了高速緩存（Cache）部件。Cache的內(nèi)容是隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）中部分存儲(chǔ)單元內(nèi)容的副本。

ROM是只讀存儲(chǔ)器，出廠時(shí)其內(nèi)容由廠家用掩膜技術(shù)寫好，只可讀出，但無(wú)法改寫。信息已固化在存儲(chǔ)器中，一般用于存放系統(tǒng)程序BIOS和用于微程序控制。

PROM是可編程ROM，只能進(jìn)行一次寫入操作（與ROM相同），但是可以在出廠后，由用戶使用特殊電子設(shè)備進(jìn)行寫入。

EPROM是可擦除的PROM，可以讀出，也可以寫入。但是在一次寫操作之前必須用紫外線照射，以擦除所有信息，然后再用EPROM編程器寫入，可以寫多次。

EEPROM是電可擦除PROM，與EPROM相似，可以讀出也可寫入，而且在寫操作之前，不需要把以前內(nèi)容先擦去，能夠直接對(duì)尋址的字節(jié)或塊進(jìn)行修改。

閃速存儲(chǔ)器（Flash Memory），其特性介于EPROM與EEPROM之間。閃速存儲(chǔ)器也可使用電信號(hào)進(jìn)行快速刪除操作，速度遠(yuǎn)快于EEPROM。但不能進(jìn)行字節(jié)級(jí)別的刪除操作，其集成度高于EEPROM

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