兩類主要的扇出型晶圓級(jí)封裝 (FOWLP) 技術(shù)是chip-first和chip-last工藝，又稱 RDL-first。chip-first和chip-last工藝流程都需要高溫和高真空工藝來創(chuàng)建重分布層 (RDL)。當(dāng)今的 FOWLP 工藝所需的材料需要能夠承受高溫和惡劣的化學(xué)環(huán)境，同時(shí)保持對(duì)器件襯底的機(jī)械支持。

　　對(duì)于chip-first工藝來說，在熱壓過程中，先將單一芯片放置在用臨時(shí)鍵合材料或熱釋放膠帶 (TRT) 處理過的襯底上，然后再用環(huán)氧樹脂成型化合物 (EMC) 包覆成型并固化。高溫電介質(zhì)處理會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力并導(dǎo)致載體晶圓與 EMC 之間產(chǎn)生翹曲。在 EMC 工藝流程中，由于襯底翹曲和鍵合材料軟化導(dǎo)致的芯片移動(dòng)和偏離會(huì)造成 RDL 與嵌入芯片的錯(cuò)位。

　　晶圓在晶圓廠加工完畢后，芯片就會(huì)被切成小塊。然后，通過取放系統(tǒng)將芯片放置在基于環(huán)氧樹脂模塑料上的新的 200 毫米或 300 毫米圓晶圓上。封裝工藝在這個(gè)新的晶圓上進(jìn)行，切割芯片，以便獲得在扇出型封裝中的芯片。

　　模具